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新聞

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2022-06

MP6001與MP2307升降壓芯片完整信息介紹

近四個(gè)月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因?yàn)楝F(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計(jì)平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達(dá)40%。但是東芝正后來居上，因?yàn)樗?4層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標(biāo)更為宏大，3D NAN

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2022-06

MP2319與MP9917升降壓芯片完整信息介紹

3D NAND芯片是業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，也是業(yè)內(nèi)最小的3D NAND存儲(chǔ)芯片，面積只有60.217 mm2，同時(shí)采用UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)設(shè)備，讓移動(dòng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPD

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2022-06

MP2319與MP6616升降壓芯片完整信息介紹

從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經(jīng)過僅8個(gè)多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目于今年7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非

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2022-06

MP2456與MP6631升降壓芯片完整信息介紹

2D NAND在進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后，器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化，單元之間的耦合效應(yīng)難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經(jīng)是大勢(shì)所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來少見的紅火，之前認(rèn)為僅三星獨(dú)

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2022-06

MP2459與MP4572升降壓芯片完整信息介紹

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技術(shù)上每年都會(huì)前進(jìn)一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術(shù)進(jìn)步之外，有分析師預(yù)測(cè)在2018年中期，全球NAND閃存市

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2022-06

MP6909與PDS5100Q升降壓芯片介紹

中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了從趕超到獨(dú)創(chuàng)的新階段。新形勢(shì)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)更應(yīng)重視創(chuàng)新，尤其是原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新。過去，我國集成電路采取“引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng)造”但隨著制造工藝的演進(jìn)和我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，一方面加快自身研發(fā)，另一方面實(shí)施并購重組