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3D NAND芯片是業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動(dòng)產(chǎn)品，也是業(yè)內(nèi)最小的3D NAND存儲(chǔ)芯片，面積只有60.217 mm2，同時(shí)采用UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)設(shè)備，讓移動(dòng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術(shù)和低功耗LPDDR4X，使得該閃存芯片比標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4存儲(chǔ)的能效更優(yōu)。此外，與相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以縮小30%。

一、MP2319升降壓芯片完整信息介紹

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器

? 8 引腳 TSOT23 封裝

二、MP9917升降壓芯片完整信息介紹

? 26V, 0.8A, 600kHz, High-Efficiency, Synchronous, Step-down Converte

? Wide 7.5V to 26V Operating Input Range

? 0.8A Load Current

? 120m?/60m? Low RDS(ON) Internal Power MOSFETs

? Internal Power-Save Mode for Light-Load

? 600kHz Fixed Switching Frequency at CCM

? Optimized for Low EMI

? Internal Soft Start

? Over-Current Protection (OCP) and Hiccup

? Thermal Shutdown

? Output Adjustable from 3.3V

? Available in a TSOT23-6 Package