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時(shí)間:2022-06-25 預(yù)覽:734
近四個(gè)月以來,變化最大的是東芝及英特爾。因?yàn)楝F(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先,估計(jì)平均領(lǐng)先兩年左右,而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達(dá)40%。但是東芝正后來居上,因?yàn)樗?4層提前量產(chǎn),或者與三星同步,但是它的目標(biāo)更為宏大,3D NAND在2017年目標(biāo)要占它的NAND產(chǎn)出50%,2018年達(dá)以80%,而目前僅5.4%。
一、MP6001升降壓芯片完整信息介紹
? 15W,集成 150V 功率開關(guān)管的反激/正激 DC-DC 變換器
? 集成 0.9Ω 150V 功率開關(guān)管
? 逐周期限流保護(hù)
? 可編程的開關(guān)頻率
? 帶線電壓前饋的占空比限制
? 集成 100V 啟動(dòng)電路
? 內(nèi)部斜坡補(bǔ)償
? 禁用功能
二、MP2307升降壓芯片完整信息介紹
? 3A, 23V, 340KHz同步整流降壓變換器
? 連續(xù)輸出電流:3A
? 可調(diào)軟啟動(dòng)功能
? 4A峰值輸出電流
? 采用低 ESR 輸出陶瓷電容器可穩(wěn)定工作
? 寬工作輸入電壓范圍:4.75V 至 23V
? 340kHz 固定頻率
? 集成100mΩ功率 MOSFET
? 逐周期過流保護(hù)
? 可調(diào)輸出電壓:0.925V 至 20V
? 輸入欠壓鎖定保護(hù)
? 效率高達(dá)95%
? 采用散熱性能增強(qiáng)的8 引腳SOIC封裝