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從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經(jīng)過僅8個(gè)多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目于今年7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。

一、MP2319升降壓芯片完整信息介紹

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器

? 8 引腳 TSOT23 封裝

二、MP6616升降壓芯片完整信息介紹

? 集成嵌入式霍爾效應(yīng)傳感器的 18V、2A、單相直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

? 2mT 最小靈敏度嵌入式霍爾效應(yīng)傳感器

? 3.3V 至 18V 工作輸入電壓(VIN) 范圍

? 2A 連續(xù)輸出電流(IOUT)

? 100mΩ 集成功率 MOSFET

? 最大可配置速度：40000rpm

? 可配置最小速度和啟動(dòng)占空比

? 閉環(huán)或開環(huán)速度控制

? 閉環(huán)模式下提供高速精度

? 最大可配置軟換向角：45°

? 最大可配置霍爾偏移角：±45°

? 最大四級(jí)可配置電流限值：4A

? 脈寬調(diào)制（PWM）輸入范圍：1kHz 至 100kHz

? 可配置的軟啟動(dòng)時(shí)間（tSS）

? 固定開關(guān)頻率（fSW）：27kHz

? 待機(jī)模式

? 自動(dòng)恢復(fù)轉(zhuǎn)子堵轉(zhuǎn)保護(hù)

? 自動(dòng)恢復(fù)過溫關(guān)斷保護(hù)

? 內(nèi)置輸入過壓保護(hù)（OVP）、欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)和自動(dòng)恢復(fù)

? 采用 QFN-10（2mmx3mm）封裝