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2022-06
近四個月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因為現(xiàn)階段三星在NAND方面領先，估計平均領先兩年左右，而目前它的3D NAND產出已經占它NAND的比重達40%。但是東芝正后來居上，因為它的64層提前量產，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAN
2022-06
3D NAND芯片是業(yè)內首款基于浮柵技術的移動產品，也是業(yè)內最小的3D NAND存儲芯片，面積只有60.217 mm2，同時采用UFS 2.1標準的存儲設備，讓移動設備實現(xiàn)一流的順序讀取性能;基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術和低功耗LPD
2022-06
從3D NAND的技術與產能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經過僅8個多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲制造新項目于今年7月初實現(xiàn)提前投產。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非
2022-06
2D NAND在進入1xnm節(jié)點之后，器件耐久性和數(shù)據保持特性持續(xù)退化，單元之間的耦合效應難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經是大勢所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來少見的紅火，之前認為僅三星獨
2022-06
自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技術上每年都會前進一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術進步之外，有分析師預測在2018年中期，全球NAND閃存市
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中國集成電路產業(yè)已經進入了從趕超到獨創(chuàng)的新階段。新形勢下，我國集成電路產業(yè)更應重視創(chuàng)新，尤其是原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新。過去，我國集成電路采取“引進、消化、吸收、再創(chuàng)造”但隨著制造工藝的演進和我國集成電路產業(yè)的發(fā)展，一方面加快自身研發(fā)，另一方面實施并購重組
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