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2022-07

NB650AGL-Z與MP2651升降壓芯片的特性

存儲產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生劇烈的變化，這個劇烈的變化一大推動力來自于存儲介質(zhì)的變化。大存儲是上下游。今天看到2D閃存是主流，未來3D將流行。閃存是目前為止存儲的答案而已，將來可能有更新的介質(zhì)。雖然我們現(xiàn)在做3D的方案，但是我們更加關(guān)注將來的可能，因為我們不愿意

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2022-07

MP9487GN-Z與MP24893升降壓芯片的特性

從產(chǎn)業(yè)的漸進(jìn)來看，人們已經(jīng)從早期的PC時代進(jìn)入到互聯(lián)網(wǎng)時代，從互聯(lián)網(wǎng)時代進(jìn)入工業(yè)4.0，模塊式的組合;從ERP到CRM，整個工廠從下單、生產(chǎn)、物流一直到銷售端，客戶拿到了產(chǎn)品，所有的信息都可以放在網(wǎng)上。無論是云計算，或者是工業(yè)4.0，無論是手機(jī)在云端

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2022-07

MP9486AGN-Z與MP2459升降壓芯片的特性

按全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模，中國在細(xì)分市場有50%的份額。在今天全球半導(dǎo)體份額中，存儲的市場最大，中國也是全世界市場最大的。因為早期市場大，美國圣誕節(jié)的采購達(dá)到全世界電子器件40%以上的規(guī)模。市場規(guī)模影響到產(chǎn)業(yè)甚至是標(biāo)準(zhǔn)的制定，中國今天已經(jīng)具備這樣的條件

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2022-07

ZXTN2010ZTA與MP2456升降壓芯片的特性

一、ZXTN2010ZTA升降壓芯片的特性特征* BVCEO > 60V* IC = 5A 高連續(xù)電流* RSAT = 30mΩ（低等效導(dǎo)通電阻）* 低飽和電壓 VCE(SAT) < 65mV @ IC = 1A* hFE 指定高達(dá) 10

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2022-07

ZXTP2012ZTA與MP2451升降壓芯片的特性

一、ZXTP2012ZTA升降壓芯片的特性特征* BVCEO > -60V* IC = -4.3A 高連續(xù)電流* RSAT = 32mΩ（低等效導(dǎo)通電阻）* 低飽和電壓 VCE(SAT) < -65mV @ IC = -1A* hFE 指

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2022-07

MBR2150VRTR-G1與MP2395升降壓芯片的特性

一、MBR2150VRTR-G1升降壓芯片的特性描述MBR2150 是一款適用于開關(guān)電源和其他電源轉(zhuǎn)換器的高壓肖特基整流器。這個設(shè)備是旨在用于中壓操作——尤其是低開關(guān)損耗和低噪聲的高頻電路必需的。MBR2150 可用于標(biāo)準(zhǔn) DO-214AC 和 DO