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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生劇烈的變化，這個(gè)劇烈的變化一大推動(dòng)力來(lái)自于存儲(chǔ)介質(zhì)的變化。大存儲(chǔ)是上下游。今天看到2D閃存是主流，未來(lái)3D將流行。閃存是目前為止存儲(chǔ)的答案而已，將來(lái)可能有更新的介質(zhì)。雖然我們現(xiàn)在做3D的方案，但是我們更加關(guān)注將來(lái)的可能，因?yàn)槲覀儾辉敢獗惶蕴?，一直在懷著謙卑的心來(lái)看這件事情。

一、NB650AGL-Z升降壓芯片的特性

6A, 28V，高效同步降壓變換器，具有快速瞬態(tài)響應(yīng)、2位 VID輸入以及OCP鎖存模式。

二、MP2651升降壓芯片的特性

? I2C 控制、USB PD 6A 升降壓充電器 IC，具有 OTG/源模式，適用于 1 至 4 節(jié)串聯(lián)電池應(yīng)用

? 用于 1 至 4 節(jié)串聯(lián)電池組的升降壓充電器 IC

? 4V 至 22V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍

? 高達(dá) 26V 的可耐受電壓，或在使用外部 MOSFET時(shí)高達(dá) 28V的可耐受電壓

? 高達(dá) 6A 的輸出電流 (IOUT)，步進(jìn)值為 50mA

? 500kHz 至 1.2MHz 可配置開(kāi)關(guān)頻率 (fSW)