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一、ZXTN2010ZTA升降壓芯片的特性

特征

* BVCEO > 60V

* IC = 5A 高連續(xù)電流

* RSAT = 30mΩ（低等效導(dǎo)通電阻）

* 低飽和電壓 VCE(SAT) < 65mV @ IC = 1A

* hFE 指定高達(dá) 10A 以保持高電流增益

* 互補(bǔ) PNP 類型：ZXTP2012Z

* 無(wú)鉛表面處理； 符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含鹵素和銻。 “綠色”裝置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

* 支持 PPAP（注 4）

應(yīng)用

* 應(yīng)急照明電路

* 電機(jī)驅(qū)動(dòng)（包括直流風(fēng)扇）

* 背光逆變器

* 電源開(kāi)關(guān)

* 柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 機(jī)械數(shù)據(jù)

* 案例：SOT89

* 外殼材料：模壓塑料?！熬G色”模塑料。UL可燃性等級(jí) 94V-0

* 濕氣敏感性：根據(jù) J-STD-020 為 1 級(jí)

* 端子：表面處理 - 啞光鍍錫引線，可根據(jù) MILSTD-202 方法 208 進(jìn)行焊接

* 重量：0.05 克（近似值）

二、MP2456升降壓芯片的特性

0.5A, 50V, 1.2MHz 降壓變換器，采用 TSOT23-6 封裝