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一、ZXTP2012ZTA升降壓芯片的特性

特征

* BVCEO > -60V

* IC = -4.3A 高連續(xù)電流

* RSAT = 32mΩ（低等效導(dǎo)通電阻）

* 低飽和電壓 VCE(SAT) < -65mV @ IC = -1A

* hFE 指定高達(dá) -10A 以保持高電流增益

* 互補(bǔ) NPN 類型：ZXTN2010Z

* 無鉛表面處理； 符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含鹵素和銻。 “綠色”裝置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

* 支持 PPAP（注 4）

應(yīng)用

* 應(yīng)急照明電路

* 電機(jī)驅(qū)動（包括直流風(fēng)扇）

* 背光逆變器

* 電源開關(guān)

* 柵極驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 機(jī)械數(shù)據(jù)

* 案例：SOT89

* 外殼材料：模壓塑料。 “綠色”模塑料。UL可燃性等級 94V-0

* 濕氣敏感性：根據(jù) J-STD-020 為 1 級

* 端子：表面處理 - 啞光鍍錫引線，可焊接MIL-STD-202，方法 208

* 重量：0.05 克（近似值）

二、MP2451升降壓芯片的特性

? 30μA工作靜態(tài)電流

? 3.3V 至 36V寬工作輸入電壓范圍

? 500mΩ內(nèi)部功率MOSFET

? 2MHz固定開關(guān)頻率

? SOT23-6和 TSOT23-6 封裝

? 36V, 2MHz, 0.6A 降壓轉(zhuǎn)換器