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2022-07
一、FZT651TA升降壓芯片的特性特征* BVCEO>60V* IC=3A高持續(xù)電流* ICM=6A峰值脈沖電流* 低飽和電壓VCE（sat）<300mV@1A* 補充PNP類型：FZT751* 無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）* 無
2022-07
一、SBRT3U40P1-7升降壓芯片的特性項目詳情* 封裝在緊湊的熱效率PowerDI?123中* SBRT3U40P1提供極低的VF和極好的反向泄漏* 高溫穩(wěn)定性。非常適合用作整流器MR16橋式整流器應用中的二極管。應用* 橋式二極管* 阻塞二極
2022-07
一、DMTH4005SK3Q-13升降壓芯片的特性項目詳情BVDSS RDS（ON）最大ID TC=+25攝氏度40V 4.5m? @ VGS=10V 95A說明和應用這種MOSFET的設計符合嚴格的要求，它符合AEC-Q101的要求，由PPAP，非
2022-07
一、PI3USB302-AZBEX升降壓芯片的特性二極管的PI3USB302-A是一種2差分通道雙向多路復用器/解復用器開關。由于其較低的位對位偏移，高通道間噪聲隔離度和帶寬，該產(chǎn)品非常適合5.0 Gbps的USB 3.0信號交換。二、MP173升降
2022-07
一、BC847AT-7-F升降壓芯片的特性* 表面貼裝封裝* 重量：0.002克（近似值）* 根據(jù)JEDEC，最高焊接溫度+260C持續(xù)30秒J-STD-020* 外殼材料-模制塑料，UL易燃性等級94V-0* 端子：表面處理-啞光鍍錫引線，可焊接二
2022-07
一、DMT8012LPS-13升降壓芯片的特性BVDSS RDS(ON) ID TC = +25C 80V17mΩ @ VGS = 10V 65A21mΩ @ VGS = 4.5V 59A描述和應用該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻(RDS
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