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一、DMT8012LPS-13升降壓芯片的特性

BVDSS RDS(ON) ID TC = +25°C 80V

17mΩ @ VGS = 10V 65A

21mΩ @ VGS = 4.5V 59A

描述和應(yīng)用

該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其是高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

* 同步整流器

* 背光

* 電源管理功能

* DC-DC 轉(zhuǎn)換器

特征

* 轉(zhuǎn)換效率高

* 低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失

* 低輸入電容

* 快速切換速度

* <1.1mm 封裝外形 – 非常適合薄型應(yīng)用

* 無(wú)鉛表面處理；符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含鹵素和銻。 “綠色”裝置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

機(jī)械數(shù)據(jù)

* 案例：PowerDI?5060-8

* 外殼材料：模壓塑料，“綠色”模塑料；UL 易燃性分類(lèi)等級(jí) 94V-0

* 濕氣敏感性：根據(jù) J-STD-020 為 1 級(jí)

* 端子表面處理 - 在銅引線框架上退火的亞光錫；可焊接符合 MIL-STD-202，方法 20

二、DMN6068LK3-13升降壓芯片的特性

? V(BR)DSS   60V

? RDS(on) ID TA = +25°C    68m? @ VGS = 10V 8.5A

? RDS(on) ID TA = +25°C   100m? @ VGS = 4.5V 7.0A