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存儲器和邏輯器件等領(lǐng)域需要額外的減薄步驟，如運用化學(xué)機械拋光(CMP)來消除由標(biāo)準(zhǔn)化磨削加工所引起的晶圓微開裂和邊緣崩裂。背照式CMOS圖像傳感器是唯一使用濕法/干法蝕刻處理和化學(xué)機械拋光(CMP)的應(yīng)用，因為背照式CMOS圖像傳感器需要最多步驟的背面磨削工藝來確保最好的芯片質(zhì)量。

一、ZXTN25012EFHTA升降壓芯片的特性

? 12V，SOT23，NPN中功率晶體管

? BVCEO > 12V   BVECX > 6V   hFE > 500 

? IC(cont) = 6A    VCE(sat) < 32mV @ 1A   

? RCE(sat) = 23m   PD = 1.25W

二、MP2144GJ-Z升降壓芯片的特性

MP2144 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFET的單片降壓開關(guān)變換器。在 2.5V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)，可以實現(xiàn) 2A 的連續(xù)輸出電流，具有出色的負載和線性調(diào)整率。其輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V。