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某些應用，如存儲器和功率器件，它們的微型化朝著更小的尺寸、更高的性能以及更低的成本方向發(fā)展，這些應用的薄晶圓厚度小于100μm或甚至小于50μm。

現(xiàn)階段，最常規(guī)的半導體應用減薄工藝為磨削，所減薄晶圓的平均起始厚度為750μm到120μm。然而，厚度低于100 μm的硅晶圓會變得非常柔軟有彈性，受迫于大批量加工制造的壓力，僅僅憑借標準的磨削方法將厚度小于100 μm的硅晶圓進一步減薄，是非常具有挑戰(zhàn)性的。

一、MBR2150VRTR升降壓芯片的特性

? 高壓功率肖特基整流器

? VRRM (V) 150

? IO (A)  2

? VF (MAX) (V) @ +25°C  0.85

? IR (MAX) (mA) @ +25°C 0.1

二、MP2145GD-Z升降壓芯片的特性

MP2145 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFETs 的單片降壓開關變換器。在 2.8V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)，可以實現(xiàn) 6A 的連續(xù)輸出電流，且具有極好的負載和線性調(diào)整率。其輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V。