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BAV170Q與PI3USB31532ZLEX升降壓芯片性能介紹

時間:2022-07-05 預覽:743

BAV170Q與PI3USB31532ZLEX升降壓芯片性能介紹

并購的驅動力通常來自于通過經濟規(guī)模最大化而獲得的高效率。在大多數行業(yè),制造業(yè)的經濟規(guī)模是最重要的,這一規(guī)律對于集成設備制造商尤為適用。然而,IDM模式在過去幾十年的半導體行業(yè)當中不斷萎縮,取而代之的是少數幾個IDM寡頭,如英特爾和三星,還有存儲器廠商,以及生產模擬、混合信號、RF和功率半導體的制造工藝差異化公司。

一、BAV170Q升降壓芯片性能介紹

? 貼裝低泄漏二極管

? VRRM VRWM VR 85V

? VR(RMS) 60V

? IFM  單 215  雙125mA

? IFSM  4.0-0.5

二、PI3USB31532ZLEX升降壓芯片性能介紹

? USB 3.2 Gen 2/Display Port 1.4 Crossbar Switch for Type-C

? 6差分通道至2/4差分通道交叉開關

? USB 3.1 Gen2 10Gb/s超高速和DP 1.4 8Gb/s切換到USB型CTM連接器

? 支持引腳控制或I2C控制來配置mux

? 低插入損耗:-1.7dB@10Gb/s

? 回波損耗:10Gb/s時為15dB

? 串擾:10Gb/s時為38dB

? 關閉隔離:-22dB@10Gb/s  -3dB帶寬:8.3GHz