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ZXMN6A08E6TA與AP4310AMTR升降壓芯片性能介紹

時(shí)間:2022-07-05 預(yù)覽:625

ZXMN6A08E6TA與AP4310AMTR升降壓芯片性能介紹

目前,半導(dǎo)體行業(yè)30%的市場(chǎng)由Fabless(無(wú)晶圓廠)占據(jù)。由Fabless公司合并產(chǎn)生的規(guī)模效益是有限的。如果兩個(gè)大型半導(dǎo)體公司合并,他們從晶圓制造商、封裝和測(cè)試廠商那里獲得的規(guī)模效益折扣沒(méi)有多大的差異。通過(guò)整合實(shí)現(xiàn)的額外規(guī)模只增加了少量的額外折扣。

一、ZXMN6A08E6TA升降壓芯片性能介紹

? 60V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

? V(BR)DSS  60v

? RDS(ON)80m? @ VGS=10V  ID  3.5A 150m? @ VGS=4.5V  ID 2.5A

二、AP4310AMTR升降壓芯片性能介紹

? 雙運(yùn)放和電壓基準(zhǔn)

? Input Offset Voltage: 0.5mV ?

? Supply Current: 75?A per OP Amp at 5.0V Supply Voltage ? 

? Unity Gain Bandwidth:1MHz

? Output Voltage Swing: 0 to VCC-1.5V ?

? Power Supply Range: 3 to 36V