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芯片技術(shù)的日益成熟動(dòng)搖了之前的競(jìng)爭(zhēng)基礎(chǔ)，將構(gòu)成對(duì)于現(xiàn)有行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的挑戰(zhàn)。芯片廠商的競(jìng)爭(zhēng)加快了技術(shù)進(jìn)步的步伐，從而加快克服原先制約芯片發(fā)展的技術(shù)障礙與成本因素，動(dòng)搖了以技術(shù)為核心的競(jìng)爭(zhēng)基礎(chǔ)。當(dāng)行業(yè)內(nèi)大部分廠商都能享受到先進(jìn)的芯片技術(shù)時(shí)，原本依靠領(lǐng)先技術(shù)的優(yōu)勢(shì)的大疆、Parrot 等企業(yè)將感到前所未有的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

一、MP6924升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? 雙路 LLC 同步整流器，具有低休眠模式電流和快速關(guān)斷功能，可兼容 CCM/DCM 模式

? 可驅(qū)動(dòng)12V標(biāo)準(zhǔn)MOSFETS和5V邏輯電平MOSFETS

? 符合能效之星 0.5W 待機(jī)要求

? 快速關(guān)斷總延遲為 35ns

? 4.2V 至 35V VDD 寬輸入工作電壓范圍

? 輕載模式下靜態(tài)電流大約為 175μA

? 支持 CCM、CrCM 和 DCM 工作模式

? 支持副邊高端和低端整流

? 在典型筆記本適配器中使用能節(jié)電高達(dá)1.5W

? 采用 SOIC-8 封裝

二、B2100升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? AEC Qualified  Yes

? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

? Configuration  Single

? MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A) 2 A

? @ TerminalTemperature TT (oC)  125 oC

? Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)  100 V

? Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)  50 A

? Forward Voltage Drop VF (V)  0.79 V

? @ IF (A)  2 A

? Maximum ReverseCurrent IR (μA)  7 μA

? @ VR (V)  100 V

? TotalCapacitance CT (pF) 75 pF