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2D NAND在進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后，器件耐久性和數(shù)據(jù)保持特性持續(xù)退化，單元之間的耦合效應(yīng)難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進(jìn)一步發(fā)展面臨瓶頸。發(fā)展3D NAND已經(jīng)是大勢(shì)所趨。近期全球3D NAND的發(fā)展迎來少見的紅火，之前認(rèn)為僅三星獨(dú)家領(lǐng)先的態(tài)勢(shì)，可能需要重新思考，至少各方之間的差距正逐步縮小。因?yàn)檎l(shuí)都不愿在未來落后。

一、MP2617升降壓芯片完整信息介紹

? 3A 寬輸入電壓開關(guān)充電器，

? 具有 NVDC 電源路徑管理功能，

? 適用于 4.2V 單節(jié)鋰離子電池應(yīng)用

? 4V 至 10V 工作輸入電壓范圍

? 5 個(gè)控制環(huán)路

? 用于 USB 和 AC 適配器的單端輸入

? 兼容 USB2.0 和 USB3.0 輸入規(guī)范

二、B2100升降壓芯片完整信息介紹

? AEC Qualified  Yes

? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

? Configuration  Single

? MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A) 2 A

? @ TerminalTemperature TT (oC)  125 oC

? Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)  100 V

? Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)  50 A

? Forward Voltage Drop VF (V)  0.79 V

? @ IF (A)  2 A

? Maximum ReverseCurrent IR (μA)  7 μA

? @ VR (V)  100 V

? TotalCapacitance CT (pF) 75 pF