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從3D NAND的技術(shù)與產(chǎn)能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經(jīng)過僅8個(gè)多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目于今年7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。

一、MP2615升降壓芯片完整信息介紹

? 2A、QFN 3mmx3mm 封裝單節(jié)或雙節(jié)鋰離子(Li+)電池充電器

? 4.75V 至 18V 輸入工作電壓

? 占空比高達(dá) 99%

? 可編程充電電流高達(dá) 2A

? 電池充滿電壓精度為 ±0.75%

? 電池充滿電壓有4.1V/節(jié) 和 4.2V/節(jié)可選

二、DMTH6016LFVWQ升降壓芯片完整信息介紹

? 60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? AEC Qualified  YES

? Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP Automotive

? BVDSS  60V

? RDS(ON) max  16m? @ VGS = 10V

? D max TC = +25°C 41A

? RDS(ON) max  27m? @ VGS = 4.5V

? D max TC = +25°C  31.6A