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自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技術上每年都會前進一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層 3D NAND。除技術進步之外，有分析師預測在2018年中期，全球NAND閃存市場在3D堆疊技術的影響下，價格有可能低到每Gb約3美分。目前，中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。

一、MP2625升降壓芯片完整信息介紹

? 帶 NVDC 電源路徑管理的 2A 開關型鋰離子充電器

? 4V 至 10V 輸入工作電壓范圍

? 5 個控制環(huán)路

? 1.6MHz 開關頻率

? 可編程輸入電流限

? 可編程充電電流

? 用于 USB 和 AC 適配器的單端輸入

? 兼容 USB2.0 和 USB3.0 輸入規(guī)格

二、MP6924升降壓芯片完整信息介紹

? 雙路 LLC 同步整流器，具有低休眠模式電流和快速關斷功能，可兼容 CCM/DCM 模式

? 可驅動12V標準MOSFETS和5V邏輯電平MOSFETS

? 符合能效之星 0.5W 待機要求

? 快速關斷總延遲為 35ns

? 4.2V 至 35V VDD 寬輸入工作電壓范圍

? 輕載模式下靜態(tài)電流大約為 175μA

? 支持 CCM、CrCM 和 DCM 工作模式

? 支持副邊高端和低端整流

? 在典型筆記本適配器中使用能節(jié)電高達1.5W

? 采用 SOIC-8 封裝