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硅是目前最重要的半導(dǎo)體材料，全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基底功能材料而生產(chǎn)出來的。在可預(yù)見的未來，還沒有其它材料(如石墨 烯等)可以替代硅的地位。在1960 年時(shí)期就有了0.75 英寸(約20mm)左右的單晶硅片。在1965 年左右Gordon Moore 提出摩爾定律時(shí)，還是以分立器件為主的晶體管。

一、MP2659升降壓芯片完整信息介紹

? 3A 36V 獨(dú)立開關(guān)充電器 IC，適用于 3 節(jié)至 6 節(jié)串聯(lián)電池組

? 4.2V 至 36V 工作電壓范圍

? 支持 3 至 6 節(jié)電池串聯(lián)的多節(jié)電池組

? 提供多種電池電壓選項(xiàng)：3.6V/4.2V/4.35V/4.15V

? QFN-19（3mmx3mm）封裝

二、MP8771升降壓芯片完整信息介紹

? 17V、10A、700kHz、高效率同步降壓變換器

? 3V 至 17V 寬工作輸入電壓范圍

? 10A 輸出電流

? 17mΩ/8mΩ 低導(dǎo)通阻抗內(nèi)部功率 MOSFET

? 100μA 靜態(tài)電流

? 輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V

? 高效率同步工作模式

? 預(yù)偏置上電

? 700kHz 固定開關(guān)頻率

? 外部可編程軟啟動(dòng)時(shí)間

? 供電時(shí)序使能（EN）和電源正常信號(hào)（PG）

? 過流保護(hù)（OCP）自動(dòng)恢復(fù)功能

? 過溫關(guān)斷保護(hù)

? 采用 QFN-16（3mmx3mm）封裝