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對(duì)國(guó)內(nèi)MOCVD設(shè)備企業(yè)帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，短期內(nèi)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移。中國(guó)資本收購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)后，將有助于愛(ài)思強(qiáng)繼續(xù)擴(kuò)大國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，加強(qiáng)與國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的合作，進(jìn)一步擠壓國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)和利潤(rùn)空間，國(guó)產(chǎn)設(shè)備未來(lái)將面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。從技術(shù)方面看，一方面，截至2015年年底，愛(ài)思強(qiáng)共有MOCVD設(shè)備相關(guān)專(zhuān)利組合189項(xiàng)，其中包括多項(xiàng)LED用MOCVD設(shè)備核心基礎(chǔ)專(zhuān)利，所有權(quán)仍為愛(ài)思強(qiáng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)研發(fā)過(guò)程中難以繞過(guò);另一方面，收購(gòu)要約中指出愛(ài)思強(qiáng)的三大技術(shù)研發(fā)中心仍保持在德國(guó)、英國(guó)和美國(guó)，核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)不變，僅于2011年在中國(guó)和蘇州納米所建立了MOCVD培訓(xùn)中心，用以提供技術(shù)支持，愛(ài)思強(qiáng)正在布局的OLED、石墨烯、碳納米管等前沿薄膜生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)，短期內(nèi)難以轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)。

一、MP2162GQH-Z升降壓芯片的特性

MP2162 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓開(kāi)關(guān)變換器。在 2.5V 至 6V 輸入電壓范圍內(nèi)，它可以實(shí)現(xiàn) 2A 的連續(xù)輸出電流，且具有出色的負(fù)載和線性調(diào)整率。其輸出電壓可調(diào)節(jié)低至 0.6V。

二、MP2303升降壓芯片的特性

? 3A, 28V, 360KHz同步整流降壓變換器

? 輸出電流：3A

? 采用低 ESR 輸出陶瓷電容可穩(wěn)定工作

? 寬工作輸入電壓范圍：4.7V 至 28V

? 360kHz 固定頻率

? 集成MOSFET開(kāi)關(guān)管

? 逐周期過(guò)流保護(hù)

? 可調(diào)輸出電壓：0.80V 至 25V

? 輸入欠壓鎖定保護(hù)

? 效率高達(dá)95%

? 采用 8引腳 SOIC封裝和 PDIP-8 封裝

? 可調(diào)軟啟動(dòng)功能