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2010年中國(guó)LED芯片企業(yè)的迅速擴(kuò)張給愛(ài)思強(qiáng)帶來(lái)了大量的訂單收入，使得當(dāng)年?duì)I收同比大幅增長(zhǎng)近1.6倍，市場(chǎng)占有率接近60%。隨著競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美國(guó)Veeco的快速崛起，2011年市場(chǎng)占有率首次超過(guò)愛(ài)思強(qiáng)并逐漸擴(kuò)大，2015年Veeco市場(chǎng)占有率超過(guò)60%，愛(ài)思強(qiáng)下降到30%左右。營(yíng)收狀況不佳和高昂的研發(fā)費(fèi)用使得愛(ài)思強(qiáng)自2012年以來(lái)一直處于虧損狀態(tài)，2016年第一季度報(bào)告顯示，愛(ài)思強(qiáng)營(yíng)收同比下滑47%，凈虧損擴(kuò)大至1550萬(wàn)歐元，同比虧損額增加63%。隨著技術(shù)更新加速，愛(ài)思強(qiáng)試圖通過(guò)拓展產(chǎn)品組合和應(yīng)用領(lǐng)域以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。過(guò)去五年來(lái)，愛(ài)思強(qiáng)在研發(fā)費(fèi)用方面共投入超過(guò)3億歐元。一方面繼續(xù)提升現(xiàn)有LED MOCVD設(shè)備的效率和出片數(shù)，另一方面加快研發(fā)新興設(shè)備技術(shù)。愛(ài)思強(qiáng)希望繼續(xù)豐富產(chǎn)品組合和調(diào)整結(jié)構(gòu)，到2020年將LED用MOCVD占比從49%下降到22%，提升化合物半導(dǎo)體、OLED等高附加值設(shè)備營(yíng)收。

一、MP2161GJ-Z升降壓芯片的特性

2A, 6V, 1.5MHz, 17uA靜態(tài)電流，恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式（COT）高效率同步降壓變換器，帶PG并采用 TSOT23-8 封裝。

二、MP3423升降壓芯片的特性

? 帶輸入輸出斷連功能的 9A, 600kHz 高效同步升壓變換器，采用 2x2mm QFN 封裝

? 效率高達(dá)98%

? 43uA 靜態(tài)電流

? 1.9V 至 5.5V 輸入電壓范圍

? 全負(fù)載范圍內(nèi)具有高效率

? 2.5V 至 5.5V 輸出電壓范圍

? 內(nèi)部軟啟動(dòng)和補(bǔ)償功能

? 內(nèi)部同步整流器

? 輸入輸出斷連功能

? 600kHz固定頻率

? 過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)

? 9A典型開(kāi)關(guān)電流限值

? 小體積 2x2mm QFN14 封裝