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ZXTN25012EFHTA與MP2319升降壓芯片的特性

時間:2022-07-19 預(yù)覽:826

ZXTN25012EFHTA與MP2319升降壓芯片的特性

一、ZXTN25012EFHTA升降壓芯片的特性

概括

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC(續(xù))= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述

先進的工藝能力和包裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這個小外形的功率處理和性能晶體管。 該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其成為理想的適用于空間非常寶貴的應(yīng)用。

特征

? 高功耗 SOT23 封裝

? 高峰值電流

? 非常高的增益

? 低飽和電壓

? 6V 反向阻斷電壓

應(yīng)用

? MOSFET 柵極驅(qū)動器

? 電源開關(guān)

? 電機控制

? 直流風(fēng)扇

? DC-DC 轉(zhuǎn)換器

二、MP2319升降壓芯片的特性

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器

? 8 引腳 TSOT23 封裝