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一、ZXTN25012EFHTA升降壓芯片的特性
概括
* BVCEO > 12V
* BVECX > 6V
* hFE > 500
* IC(續(xù))= 6A
* VCE(sat) < 32mV @ 1A
* RCE(sat) = 23m
* PD = 1.25W
描述
先進的工藝能力和包裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這個小外形的功率處理和性能晶體管。 該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其成為理想的適用于空間非常寶貴的應(yīng)用。
特征
? 高功耗 SOT23 封裝
? 高峰值電流
? 非常高的增益
? 低飽和電壓
? 6V 反向阻斷電壓
應(yīng)用
? MOSFET 柵極驅(qū)動器
? 電源開關(guān)
? 電機控制
? 直流風(fēng)扇
? DC-DC 轉(zhuǎn)換器
二、MP2319升降壓芯片的特性
? 3A、18V、650kHz 高效率同步降壓變換器
? 8 引腳 TSOT23 封裝