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一、ZXMN10A08E6TA升降壓芯片的特性

產(chǎn)品概要

* V(BR)DSS 最大 RDS(on) 最大 ID TA = 25C 100V

* 250mΩ @ VGS = 10V 1.9A

* 300mΩ @ VGS = 6V 1.68A

描述和應用

該 MOSFET 具有獨特的結構，結合了以下優(yōu)點：

* 低導通電阻和快速開關，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

* DC - DC 轉換器

* 電源管理功能

* 斷開開關

* 電機控制

特點和優(yōu)勢

* 低導通電阻

* 快速切換速度

* 完全無鉛且完全符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含鹵素和銻。 “綠色”裝置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性標準

機械數(shù)據(jù)

* 案例：SOT26

* 外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。UL 易燃性分類等級 94V-0

* 濕氣敏感性：根據(jù) J-STD-020 為 1 級

* 端子：表面處理 – 在銅引線框架上退火亞光錫?？珊附臃?MIL-STD-202，方法 208

* 重量：0.015 克（近似值）

二、MP2233升降壓芯片的特性

? 3A，16V，1.4MHz，高效率同步降壓變換器

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 16V

? 內(nèi)置80mΩ/30mΩ 低導通電阻 Rds(on) 功率 MOSFET

? 專用開關損耗降低技術

? 高效率同步整流工作模式

? 1.4MHz 固定開關頻率

? 300kHz 至 3MHz 外部時鐘同步能力

? TSOT-23 封裝