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3D NAND技術復雜，由于成品率低，導致成本高。依三星的技術水平，估計它的48層3D NAND的成本已經接近2D NAND，未來64層時可能會占優(yōu)勢。而其他的各廠家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠商一些時間。 但是，不管如何，到2018年長江存儲實現(xiàn)諾言量產3D NAND時，它的32層與三星可能已經達100層相比絕不占優(yōu)勢。技術只是一個方面，更為嚴峻的是制造成本方面的差距。

一、MP2497升降壓芯片完整信息介紹

? 3A, 50V, 100kHz 降壓變換器，具有可調輸出過壓保護閾值

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 50V

? 可調輸出過壓保護

? 可調輸出電壓：0.8V 至 15V

? SOIC8E封裝

二、SMBJ36CA升降壓芯片完整信息介紹

? 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

? AEC Qualified SMBJ36CAQ

? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

? Configuration Single (Bi-Directional)

? Power Rating (W) 600 W

? Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 36 V

? Breakdown VoltageVBR Min(V) 40 V

? BreakdownVoltageVBR Max (V) 46 V

? Maximum Reverse Leakage CurrentIR @ VRWM Max 5 μA

? Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 58.1 V

? Packages SMB