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近四個(gè)月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因?yàn)楝F(xiàn)階段三星在NAND方面領(lǐng)先，估計(jì)平均領(lǐng)先兩年左右，而目前它的3D NAND產(chǎn)出已經(jīng)占它NAND的比重達(dá)40%。但是東芝正后來居上，因?yàn)樗?4層提前量產(chǎn)，或者與三星同步，但是它的目標(biāo)更為宏大，3D NAND在2017年目標(biāo)要占它的NAND產(chǎn)出50%，2018年達(dá)以80%，而目前僅5.4%。

一、MP2610升降壓芯片完整信息介紹

? 1.1MHz開關(guān)型鋰離子電池充電器，效率高達(dá)90％

? 為1至2節(jié)鋰離子電池組充電

? 寬工作輸入電壓范圍：5V 至 24V

? 可調(diào)充電電流高達(dá) 2A

? VBATT精度為±0.75%

? 0.2Ω內(nèi)部功率 MOSFET開關(guān)管

? 效率高達(dá)90%

? 1.1MHz 固定頻率

二、BZX84C5V6Q升降壓芯片完整信息介紹

? AEC Qualified  Yes

? Compliance (Only Automotive supports PPAP)  Automotive

? Configuration Single

? Power Rating (W) 300 mW

? Nom VZ (V) 5.6

? @ IZT (mA) 5 mA

? Tol V (Typ) (%) 7.14%

? IR (μA) 1 μA

? Packages SOT23