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在現(xiàn)階段，至多說定律的三個(gè)分支中，”延續(xù)摩爾”的部分，即走尺寸縮小的部分遇到了困難。目前邏輯制程剛進(jìn)入10納米，預(yù)期明年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而下一代節(jié)點(diǎn)的7納米制程，要到2018年，其中很大的一個(gè)變數(shù)，可能采用EUV光刻。業(yè)界尚在探索的是5納米制程，估計(jì)要采用新的溝道材料，包括III-V族，或者納米線，或者環(huán)柵結(jié)構(gòu)。但是尺寸繼續(xù)縮小下去的另一問題，財(cái)務(wù)平衡矛盾會(huì)顯現(xiàn)。因?yàn)闃I(yè)界預(yù)測(cè)一個(gè)7納米制程的SoC產(chǎn)品設(shè)計(jì)，費(fèi)用可高達(dá)500M美元以上，相比28納米的設(shè)計(jì)費(fèi)用要高出9倍。如此高的設(shè)計(jì)費(fèi)用，能有什么產(chǎn)品，有幾千萬塊以上數(shù)量的市場(chǎng)需求支持它，仍是個(gè)未知數(shù)。表明定律從技術(shù)上可行，而從財(cái)務(wù)平衡的角度，大部分fabless可能已失去對(duì)于7納米產(chǎn)品的吸引力。由此表明定律的尺寸縮小部分可能已成擺設(shè)，缺乏實(shí)際的使用價(jià)值。

一、MP2497升降壓芯片的介紹

? 3A, 50V, 100kHz 降壓變換器，具有可調(diào)輸出過壓保護(hù)閾值

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 50V

? 可調(diào)輸出過壓保護(hù)

? 可調(diào)輸出電壓：0.8V 至 15V

? SOIC8E封裝

二、DMTH6016LPSQ-13升降壓芯片的介紹

? 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? BVDSS  60V

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    16m? @ VGS = 10V    37.1A

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    24m? @ VGS = 4.5V   30.3A