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行業(yè)動(dòng)態(tài)

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DIODES升降壓芯片通過光藕反饋控制輸出電壓

DIODES升降壓芯片內(nèi)置同步整流控制器和高雪崩容量功率MOSFET，用于高性能AC/DC反激變換器系統(tǒng)，取代二次整流肖特基二極管，導(dǎo)壓降非常低，功率MOSFET可以提高電流輸出容量，降低溫升，提高轉(zhuǎn)換效率，使系統(tǒng)效率達(dá)到6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的余

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MPS同步整流電源管理芯片比傳統(tǒng)肖特基芯片的優(yōu)點(diǎn)

MPS同步整流電源管理芯片比傳統(tǒng)肖特基芯片的優(yōu)點(diǎn)1、這兩種芯片都可以看作是一扇門，通過這扇門，電流才能被負(fù)載使用。2、傳統(tǒng)肖特基電源管理芯片類似于一扇門必須用力推才能打開，所以電流通過門每次都要付出很大的努力，損耗相對(duì)較高。3、MPS同步整流電源管理

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MPS同步整流升降壓芯片的工作原理

MPS同步整流升降壓芯片的工作原理是利用通態(tài)電阻低專用功率MOSFET來(lái)代替整流二極管，達(dá)到降低整流損耗的目的，能大幅度提升變換器的轉(zhuǎn)換效率，且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓引起的死區(qū)電壓，還能通過二次側(cè)優(yōu)勢(shì)將電源指標(biāo)進(jìn)行改善。MPS同步整流升降壓芯片的基本

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MPS電源管理芯片技術(shù)未來(lái)發(fā)展方向

根據(jù)恒壓控制策略，MPS電源管理芯片技術(shù)分為四代。第一代在PFM模式下運(yùn)行，通過負(fù)載線性進(jìn)行降頻；第二代在分段PM模式下運(yùn)行，通過負(fù)載分段進(jìn)行降頻；第三代在PFM+PWM混合模式下運(yùn)行，顯著改善了動(dòng)態(tài)和音頻噪聲指標(biāo)；第四代在CCM+PFM+PW混合模

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DIODES升降壓芯片的深度解析

由于近年來(lái)DIODES升降壓芯片技術(shù)的快速發(fā)展，升降壓芯片的設(shè)計(jì)方案采用多工作模式+前饋補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù)，其轉(zhuǎn)換效率、電壓調(diào)整率、動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)等指標(biāo)已接近或超過其它芯片方案，以及它的自適應(yīng)常數(shù)流量功能有利于供電和供電設(shè)備的可靠運(yùn)行。與傳統(tǒng)芯片方案相比，它可

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MPS電源管理芯片打破進(jìn)口壟斷

根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模從2012年的43.68億元增加到2018年的681.53億元，到2020年達(dá)到781億元。我國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)長(zhǎng)期以進(jìn)口產(chǎn)品為主，80%的市場(chǎng)份額被歐美廠商壟斷。在國(guó)內(nèi)替代趨勢(shì)上升的背景下，MPS電源管理芯