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由于近年來(lái)DIODES升降壓芯片技術(shù)的快速發(fā)展，升降壓芯片的設(shè)計(jì)方案采用多工作模式+前饋補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù)，其轉(zhuǎn)換效率、電壓調(diào)整率、動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)等指標(biāo)已接近或超過(guò)其它芯片方案，以及它的自適應(yīng)常數(shù)流量功能有利于供電和供電設(shè)備的可靠運(yùn)行。與傳統(tǒng)芯片方案相比，它可以去掉光耦合器、431等器件，以原邊輔助繞組作為采樣電壓，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，受到廣大工程師的青睞。

與同行產(chǎn)品相比，九鼎龍的DIODES升降壓芯片的設(shè)計(jì)方案具有哪些特點(diǎn)呢？

1、高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù)：可實(shí)現(xiàn)200ms快速啟動(dòng)，30mW待機(jī)功耗。

2、自適應(yīng)開(kāi)谷技術(shù)：降低功率管溫度，提高轉(zhuǎn)換效率，可實(shí)現(xiàn)12W電源應(yīng)用。

3、高雪崩容量VDMOS：最低電壓690V，抗電網(wǎng)沖擊能力強(qiáng)。

4、集成電流采樣管：準(zhǔn)確采樣功率管電流，可實(shí)現(xiàn)cS電阻異常短路保護(hù)。

5、限頻控制技術(shù)：提高動(dòng)態(tài)性，滿(mǎn)足5Kv級(jí)EFT試驗(yàn)。

6、軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)：降低開(kāi)關(guān)速度，提高EMC性能。