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2022-07

MP1484EN-LF-Z與MP5423升降壓芯片功能說(shuō)明

近期又傳來(lái)紫光可能與新芯合作的方案,對(duì)于雙方可能都是個(gè)理性的選擇。但是要與美光合作變成中國(guó)版的“華亞科”模式有些擔(dān)憂。因?yàn)榇朔N跟隨型模式,盡管看似省心省事,但是中方缺乏自主能力,另外擔(dān)心美光會(huì)采取不同的技術(shù)轉(zhuǎn)移策略,讓中國(guó)處于最低端,因此要慎之又慎。

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2022-07

MP1482DS-LF-Z與MP4423升降壓芯片功能說(shuō)明

依目前的態(tài)勢(shì)由于做的產(chǎn)品不同,有3D NAND,利基型DRAM,DRAM及NAND,采用的路徑不同,以及合作對(duì)象也不一樣,正如同“百花齊放”,因此都有一定的可能,但又都不太確定。然而依照中國(guó)的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線,所以未來(lái)可

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2022-07

MP1476GTF-Z與MP5032升降壓芯片功能說(shuō)明

目前存儲(chǔ)器有三個(gè)方面的力量正在聚集,一個(gè)是政府主導(dǎo)的武漢新芯,它們與中科院微電子所等合作,據(jù)說(shuō)己經(jīng)有9層3D NAND樣品。另一個(gè)是紫光,它的策略是先通過(guò)兼并,站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個(gè)是兩個(gè)地方政府,福建與合肥,它們?cè)噲D尋找技術(shù)伙伴,或者

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2022-07

MP1475DJ-LF-Z與MPQ4488升降壓芯片功能說(shuō)明

中國(guó)終于下決心要做存儲(chǔ)器芯片,武漢新芯計(jì)劃投資240億美元,于2018年開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND閃存,引起全球的熱議??陀^地說(shuō)能夠下這樣的決心是十分不易,國(guó)內(nèi)國(guó)外抱懷疑者很多,基本上反映中國(guó)欲進(jìn)軍存儲(chǔ)器業(yè)的現(xiàn)實(shí)。中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)處于特定環(huán)境中,提出產(chǎn)業(yè)的自

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2022-07

MP1469GJ-Z與MPQ4470升降壓芯片功能說(shuō)明

光耦在電路中的主要工作是對(duì)光電進(jìn)行隔離并且進(jìn)行轉(zhuǎn)換。看似簡(jiǎn)單,但光耦卻擁有著非常多的品種和類型,僅僅在電子手冊(cè)中就有上千種分類。按光路徑可分為外光路光電耦合器(又稱光電斷續(xù)檢測(cè)器)和內(nèi)光路光電耦合器。外光路光電耦合器又分為透過(guò)型和反射型光電耦合器。一

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2022-07

MP1921GQ-B-Z與MP44014升降壓芯片功能說(shuō)明

市場(chǎng)經(jīng)濟(jì),首先是競(jìng)爭(zhēng),但也不妨礙互相合作。更無(wú)況兩岸的語(yǔ)言相通,血脈相連,并各有優(yōu)劣之勢(shì)。目前的態(tài)勢(shì)已前進(jìn)了一大步,如大陸資金充沛,欲投資入股,只要條件適當(dāng),臺(tái)灣地區(qū)何樂(lè)不為,何必總是拒絕。盼望雙方從務(wù)實(shí)出發(fā),拋棄成見(jiàn),依大局利益為重,兩岸半導(dǎo)體之間