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DIODES升降壓芯片低功耗設(shè)計

時間:2021-12-20 預(yù)覽:768

DIODES升降壓芯片低功耗設(shè)計(圖1)

隨著升降壓芯片尺寸越來越小,低功耗升降壓芯片作為一種新興的芯片設(shè)計方法,將在當(dāng)前和未來的芯片領(lǐng)域中發(fā)揮越來越重要的作用。DIODES低功耗升降壓芯片設(shè)計促進了智能手機、移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、高性能計算等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

DIODES升降壓芯片的功耗常見有三部分,即動態(tài)功耗、短路功耗和靜態(tài)功耗,其中動態(tài)功耗是指運行時負(fù)載電容充放電引起的,短路功耗是指電路在運行過程中導(dǎo)致瞬態(tài)短路引起的,靜態(tài)功耗是指電路中泄露電流引起的。因此,芯片的低功耗設(shè)計主要是關(guān)于如何降低這三個部分的功耗。

功耗會影響電路整體的性能,DIODES升降壓芯片散熱以及芯片運行的可靠性等一系列問題,已經(jīng)成為芯片設(shè)計中最重要的因素,由于器件技術(shù)、電路設(shè)計、系統(tǒng)集成、和軟件開發(fā)等技術(shù)一直不斷地在改進,低功耗升降壓芯片設(shè)計也會在這些領(lǐng)域中不斷地發(fā)展。