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DIODES升降壓芯片布局指南

時(shí)間:2021-12-10 預(yù)覽:593

DIODES升降壓芯片布局指南(圖1)

正確的PCB布局是DIODES升降壓芯片穩(wěn)定高效運(yùn)行的關(guān)鍵,快速開關(guān)電流或電壓的軌跡容易與雜散電感和寄生電容相互作用,產(chǎn)生噪聲并降低性能。為了讓升降壓芯片獲得更好的效果,請(qǐng)遵循以下準(zhǔn)則:

1、pvin到pgnd的旁路電容要盡量靠近pvin和pgnd引腳,尤其是兩個(gè)小電容。

2、PGND通過電容之間的通路連接到底層。

3、車輛識(shí)別號(hào)到地的旁路電容應(yīng)盡量靠近車輛識(shí)別號(hào)和接地引腳,尤其是小電容。

4、降壓轉(zhuǎn)換器輸出電容的接地應(yīng)直接接地,以減少功率回路。

5、VDD腳可以從底層接DC/DC輸出電容,接電容后面一點(diǎn),不接電感。

6、VDD 旁路電容放置在 VDD 弓|腳旁邊。

7、V3P3旁路電容放在V3P3弓|腳旁邊。

8、VREF 旁路電容器放置在 VREF 引腳旁邊。

9、agnd bow|foot通過開爾文連接連接到公共地。