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隨著功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的快速發(fā)展，功率MOSFET及PWM控制技術(shù)由于具有控制簡單、靈活、優(yōu)異動態(tài)響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于升降壓芯片的控制方式中。

升降壓芯片采用多種模式進(jìn)行混合調(diào)制技術(shù)，達(dá)到低待機(jī)功耗和全電壓范圍的最好效率，還使用峰值電流控制，內(nèi)置斜坡補(bǔ)償功能，能夠很好地控制電源電壓。為了提高系統(tǒng)的閉環(huán)穩(wěn)定性，升降壓芯片采用了調(diào)頻技術(shù)和軟驅(qū)動技術(shù)來確保其應(yīng)用于電源具有優(yōu)異的性能。

升降壓芯片具有以下幾點(diǎn)特征：

1、具有多方面保護(hù)功能，如過溫、過壓、過流、短路、過載等保護(hù)功能；

2、具有自動線電壓補(bǔ)償功能；

3、具有高低壓分頻功能；

4、具備斜率補(bǔ)償功能。

升降壓芯片具有高性能、低功耗、低成本等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類電源、適配器等領(lǐng)域中。