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DUP2105SOQ與MP2012DQ-LF-Z升降壓芯片的特性

時間:2022-07-28 預(yù)覽:634

DUP2105SOQ與MP2012DQ-LF-Z升降壓芯片的特性

截止2014年,全球300mm硅片實際出片量已占各種硅片出片量的65%左右,平均約450萬片/月。2015年第1~第2季度每月平均需求量約500萬片。目前,12英寸硅片主要用于生產(chǎn)90nm-28nm及以下特征尺寸(16nm和14nm)的存儲器、數(shù)字電路芯片及混合信號電路芯片。

一、DUP2105SOQ升降壓芯片的特性

? 雙線CAN總線保護器

? VBR (Min)   26.2V  IPP (Max)  8A     IR (Max) 100nA

二、MP2012DQ-LF-Z升降壓芯片的特性

MP2012是一款具有內(nèi)部補償功能的全集成1.2MHz固定頻率PWM降壓變換器。其輸入電壓范圍為2.7V至6V,是采用單節(jié)鋰離子(Li +)電池供電的便攜式設(shè)備理想之選。MP2012可提供高達1.5A的負(fù)載電流,輸出電壓低至0.8V。對低壓差應(yīng)用,可以以100%占空比工作。MP2012具有峰值電流控制模式和內(nèi)部補償功能,采用陶瓷電容器和小型電感器可穩(wěn)定工作。