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隨著先進制程的演進，主流手機芯片廠商對先進節(jié)點的持續(xù)不懈跟進，對整個產業(yè)鏈也將形成更大挑戰(zhàn)。先進工藝節(jié)點的NRE費用(一次性工程費用)急劇攀升，只有通過擴大銷量才能分攤前期成本。有估計認為，研發(fā)一顆16納米的芯片需要投入15億美元，必須銷售3000萬顆才能收回成本。除此之外，受限于工藝，技術挑戰(zhàn)將越來越大，芯片設計團隊必須對芯片制造過程有深入的了解，要求芯片設計與制造與IP等廠商緊密結合，這也將拉高設計成本。

一、1N4148WSQ升降壓芯片的特性

? VRM 100 V

? VRRM VRWM VR/ 75 V

? VR(RMS) 53 V

? IFM 300 mA

? IO 150 mA

? IFSM  @ t = 1.0μs 2.0A @ t = 1.0s 1.0 A

二、MP2162GQH-Z升降壓芯片的特性

MP2162 是一款內置功率 MOSFET 的單片降壓開關變換器。在 2.5V 至 6V 輸入電壓范圍內，它可以實現(xiàn) 2A 的連續(xù)輸出電流，且具有出色的負載和線性調整率。其輸出電壓可調節(jié)低至 0.6V。