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高通方面迄今雖然沒有明確表示其新一代手機芯片的工藝進展情況。但是，自從驍龍820推出并于2016年陸續(xù)出貨后，外界普遍對其評價不錯，高通同樣在驍龍625中采用14納米工藝，可見其對先進工藝的重視。高通可能發(fā)布驍龍823，將采用最新10納米工藝，該產(chǎn)品正式推上市場的時間在2017年。

一、B260A升降壓芯片的特性

? 2.0A貼片安裝肖特基勢壘整流器

? VRRM /VRWM /VR 60V

? VR(RMS) 42V

? Io 2.0 A

? IFSM50 A

二、MP2227DQ-LF-Z升降壓芯片的特性

MP2227是一款具有內(nèi)部補償功能的1.6MHz定頻 PWM 同步降壓穩(wěn)壓器。MP2227在3V至24V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，可在高達3A的負載電流下產(chǎn)生0.8V至0.9xVIN的可調(diào)輸出電壓。它集成了一個160mΩ上管開關和一個80mΩ的同步整流器，無需外部肖特基二極管即可實現(xiàn)高效率。