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BZX84C10Q與MP2233DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

時間:2022-07-28 預(yù)覽:994

BZX84C10Q與MP2233DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

受限于產(chǎn)品的功耗體積等因素的困撓,智能手機芯片廠商在采用先進工藝方面表現(xiàn)得極為積極,14/16納米智能手機SoC面世,如驍龍820、驍龍625、SC9860等,仍然屬于旗艦級手機的頂端配置,相關(guān)業(yè)者就已經(jīng)在考慮10納米工藝的工作了。

先進工藝正在成為智能手機芯片廠商比拼自身實力的陣地,只要能夠擠入門檻的玩家都在不斷推出采用最先進工藝的產(chǎn)品。在14/16納米節(jié)點之后,10納米顯然成為幾家智能手機芯片企業(yè)下一波的競爭焦點。

一、BZX84C10Q升降壓芯片的特性

? 350mW齊納二極管

? VF 0.9V

? VZ @ IZT  10V

? ZZT @ IZT  20? 

? IR 0.2μA 

? VR 7.0V

二、MP2233DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

MP2233 在輸出電流負載范圍內(nèi)采用同步工作模式以達到高效率。其電流控制模式提供了快速瞬態(tài)響應(yīng),并使環(huán)路更易穩(wěn)定。全方位保護功能包括過流保護、過溫關(guān)斷保護和外部軟啟動控制。MP2233 最大限度地減少了現(xiàn)有標準外部元器件的使用,采用節(jié)省空間的 8引腳TSOT23 封裝。