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PDS5100Q與MP2359DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

時間:2022-07-27 預覽:785

PDS5100Q與MP2359DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

全球半導體業(yè)己邁入成熟期,它的增長率己日趨低迷,2015年達3356億美元,但是增長率近乎另,而2016年的態(tài)勢恐難有起色,據(jù)SIA及WSTS于6月的最新數(shù)據(jù)預測2016年半導體為327.0B美元,同比下降2.4%。在這樣的態(tài)勢下,其實產(chǎn)業(yè)的腳步?jīng)]有止步,只是更艱難的踐行。

近期中國半導體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢,讓全球另眼相看,它們幾乎都不太相信,為什么中國要這樣?以及未來中國半導體業(yè)的結局會怎么樣?可能暫時很難有確切的答案。

一、PDS5100Q升降壓芯片的特性

? 5A高壓肖特基勢壘整流器POWERDI?

? VR(V) 100     IF (A)  5.0 

? VF MAX (V) @ +25°C    0.79 

? IR MAX (mA) @ +25°C  0.2

二、MP2359DJ-LF-Z升降壓芯片的特性

該 MP2359 是單片降壓開關模式轉換器與內(nèi)置功率 MOSFET 。它實現(xiàn)了1.2 A 的峰值輸出電流在很寬的輸入電源范圍內(nèi)具有良好的負載和線路調(diào)節(jié)。電流模式操作提供了快速的瞬態(tài)響應,并簡化了回路穩(wěn)定。故障狀態(tài)保護包括逐周期限流和熱關斷。