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DDZ9701與MP26123DR-Z升降壓芯片的特性

時間:2022-07-27 預(yù)覽:831

DDZ9701與MP26123DR-Z升降壓芯片的特性

對待中國半導(dǎo)體業(yè)的迅速崛起,臺灣地區(qū)的反映最為強烈。從另一側(cè)面表示此次中國半導(dǎo)體業(yè)走市場經(jīng)濟發(fā)展的路,是準確的選擇。臺灣地區(qū)視它的半導(dǎo)體業(yè)為”生命線”,一直引以為傲。如近期日月光與矽品的合作,被看作是臺灣封裝業(yè)中的又一個”臺積電”誕生。

其實島內(nèi)近期熱議,要加強”南向”,及減少對于大陸的依賴。此等憂患心情可以理解,然而減少依附中國這個全球最大的半導(dǎo)體市場是否行得通恐遭人生疑。

一、DDZ9701升降壓芯片的特性

? 表面貼裝低電流齊納二極管

? VF  0.9V

? Pd  500 Mw

? VZ@IZT 14

? Izt 50uA

? IR 0.05uA

? VR  10.6V

二、MP26123DR-Z升降壓芯片的特性

該 MP26123 是單片DC-DC降壓開關(guān)充電器 2 -或 3 -細胞鋰離子電池組。它有一個集成的高邊功率 MOSFET 可以輸出高達 2A 的充電電流。它還具有峰值電流模式控制快速環(huán)路響應(yīng)和易于補償。