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PDS5100HQ-13D與MP2562DS-LF-Z升降壓芯片的特性

時間:2022-07-25 預(yù)覽:574

PDS5100HQ-13D與MP2562DS-LF-Z升降壓芯片的特性

對于石墨烯技術(shù)作用于芯片的研究,目前至少能夠確定兩點。

第一,石墨烯原材料相對于硅基材料來說具有更好的特性,無論是速度、功耗還是可縮減性能。石墨烯技術(shù)可以被推進到8nm甚至5nm 的技術(shù)節(jié)點,這恰好是2020年之后的數(shù)字電路目標。

第二,石墨烯應(yīng)用于芯片的方案切實可行。在實驗室中,許多研究人員已經(jīng)研制出了此方面的技術(shù),投入實踐也是指日可待。

事實上,石墨烯技術(shù)目前也受到了各方的重視。

一、PDS5100HQ-13D升降壓芯片的特性

? 5A高壓肖特基勢壘整流器

? VR (V) 100

? IF (A) 5.0

? VF MAX (V) @ +25°C  0.71

? IR MAX (mA) @ +25°C 0.0035

二、MP2562DS-LF-Z升降壓芯片的特性

MP2562 是一款集成了上管高壓功率 MOSFET 的高頻降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。它采用電流控制模式提供1A輸出電流,可以實現(xiàn)快速環(huán)路響應(yīng)和輕松補償。其4.5V 至 50V 的寬工作輸入電壓范圍使其適用于汽車輸入環(huán)境中的各種降壓應(yīng)用。