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MP2672GD-000D-Z與MPQ8636升降壓芯片的特性

時間:2022-07-22 預覽:573

MP2672GD-000D-Z與MPQ8636升降壓芯片的特性

由于光耦自身存在的分布電容,對傳輸速度造成影響,光敏三極管內(nèi)部存在著分布電容Cbe和Cce。由于光耦的電流傳輸比較低,其集電極負載電阻不能太小,否則輸出電壓的擺幅就受到了限制。但是負載電阻又不宜過大,負載電阻RL越大,由于分布電容的存在,光電耦合器的頻率特性就越差,傳輸延時也越長。

用2只光電耦合器T1,T2接成互補推挽式電路,可以提高光耦的開關速度。當脈沖上升為“1”電平時,T1截止,T2導通。相反,當脈沖為“0”電平時,T1導通,T2截止。這種互補推挽式電路的頻率特性大大優(yōu)于單個光電耦合器的頻率特性。

一、MP2672GD-000D-Z升降壓芯片的特性

MP2672 是一款靈活的高度集成開關電池充電器 IC,適用于 2 節(jié)電池串聯(lián)的鋰離子電池,用于各種便攜式應用。

二、MPQ8636升降壓芯片的特性

? 10A、4.5-18V、采用恒定導通工作模式(CCM)的COT 同步降壓變換器,具有鎖定過壓保護(OVP)

? 4.5V 至 18V 寬輸入工作電壓范圍

? 10A 輸出電流

? 低導通阻抗內(nèi)部功率 MOSFET

? 專有開關損耗降低技術

? 用于超快瞬態(tài)響應的自適應恒定導通時間(COT)控制

? 0°C 至 70°C 結溫范圍內(nèi)的參考電壓精確度為 0.5%

? 200kHz 至 1MHz 可調(diào)開關頻率

? 非鎖定過流保護(OCP)、過壓保護(OVP)和過溫關斷保護

? 可選的過壓保護(OVP)模式:鎖定模式(MPQ8636-10)和非鎖定模式(MPQ8636H-10)

? 輸出電壓可調(diào)范圍:0.611V 至 13V