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半導(dǎo)體是一個(gè)靠技術(shù)取勝的產(chǎn)業(yè)，有創(chuàng)新和核心技術(shù)才有領(lǐng)導(dǎo)能力。因此，縮小中資半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)缺口至關(guān)重要。半導(dǎo)體作為清潔、高端制造業(yè)，對(duì)中國(guó)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常利好的行業(yè)，也能促進(jìn)中國(guó)行業(yè)創(chuàng)新，比如智能手機(jī)和平板電腦的創(chuàng)新。但建立一個(gè)成功的半導(dǎo)體企業(yè)需要多長(zhǎng)時(shí)間?據(jù)悉，三星公司有3500個(gè)工程師專門從事在存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和制造流程，這些人作為一個(gè)團(tuán)隊(duì)一起工作了20年。

一、MP1907升降壓芯片功能說(shuō)明

? 100V、2.5A 高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)

? 驅(qū)動(dòng) N-通道 MOSFET 半橋

? 100V VBST 電壓范圍

? 輸入信號(hào)重疊保護(hù)

? 集成自舉二極管

? 20ns 的典型延遲

? 小于 5ns 的柵極驅(qū)動(dòng)失配

? 12V VDD 時(shí)驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載具有 15ns 的上升時(shí)間和 9ns 的下降時(shí)間

? TTL 可兼容輸入

? 靜態(tài)電流小于 150μA

? 關(guān)斷電流小于 5μA

? 用于高低兩端驅(qū)動(dòng)電壓的欠壓鎖定保護(hù)

? 采用 3×3mm QFN10 封裝

二、NB650升降壓芯片功能說(shuō)明

? 6A, 28V，高效同步降壓變換器，具有快速瞬態(tài)響應(yīng)、2位 VID輸入以及OCP鎖存模式

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 28V

? 輸出電流：6A

? 內(nèi)部50mΩ上管、18m?下管功率MOSFET

? 專有開(kāi)關(guān)損耗降低技術(shù)

? 參考電壓：1%

? 可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間

? 2位VID輸入