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MP1907與PDS360Q升降壓芯片性能介紹

時間:2022-07-04 預(yù)覽:751

MP1907與PDS360Q升降壓芯片性能介紹

隨著大陸成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)開始擴(kuò)大投資,大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,產(chǎn)值正快速擴(kuò)張。根據(jù)CSIA統(tǒng)計,今年第一季大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約達(dá)人民幣798.6億元(約折合新臺幣3,833億元),與中國臺灣第一季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值新臺幣5,441億元仍有明顯落差,但大陸第二季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值已經(jīng)快速成長到人民幣1,048.5億元(約折合新臺幣5,033億元),季增率高達(dá)31.3%,與中國臺灣第二季半導(dǎo)體產(chǎn)值新臺幣6,014億元相較,差距正在快速拉近。

一、MP1907升降壓芯片性能介紹

? 100V、2.5A 高頻半橋柵極驅(qū)動

? 驅(qū)動 N-通道 MOSFET 半橋

? 100V VBST 電壓范圍

? 輸入信號重疊保護(hù)

? 集成自舉二極管

? 20ns 的典型延遲

? 小于 5ns 的柵極驅(qū)動失配

? 12V VDD 時驅(qū)動 1nF 負(fù)載具有 15ns 的上升時間和 9ns 的下降時間

? TTL 可兼容輸入

? 靜態(tài)電流小于 150μA

? 關(guān)斷電流小于 5μA

? 用于高低兩端驅(qū)動電壓的欠壓鎖定保護(hù)

? 采用 3×3mm QFN10 封裝

二、PDS360Q升降壓芯片性能介紹

? VR(V)60     IF (A)  3.0 

? VF MAX (V) @ +25°C    0.62

? IR MAX (mA) @ +25°C  0.15

? 3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER POWERDI?