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硅是目前最重要的半導(dǎo)體材料，全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基底功能材料而生產(chǎn)出來(lái)的。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，還沒(méi)有其它材料(如石墨 烯等)可以替代硅的地位。在1960 年時(shí)期就有了0.75 英寸(約20mm)左右的單晶硅片。在1965 年左右Gordon Moore 提出摩爾定律時(shí)，還是以分立器件為主的晶體管。

然后開(kāi)始使用少量的1.25 英寸小硅片，進(jìn)而集成電路用的1.5 英寸硅片更是需求大增。之后，經(jīng)過(guò)2 英寸，3 英寸， 1975 年4 英寸登場(chǎng)開(kāi)始在全球普及，接下來(lái)5 英寸，6 英寸，8 英寸，然后從2001 年開(kāi)始進(jìn)入12 英寸。在2020 年左右，18 英寸(450mm)的硅片將開(kāi)始投入使用。

一、MP6631升降壓芯片性能介紹

? 4V Input, 3A Peak Phase Current, Three-Phase BLDC Motor Driver

? 3.6V to 24V Operating Input Voltage (VIN) Range

? Up to 3A of Peak Phase Current

? Integrated 160m? High-Side MOSFETs (HS-FETs) and Low-Side MOSFETs (LSFETs)

? Sinusoidal Drive

? Supports 0V to 1.2V DC Input or 1kHz to 100kHz Pulse-Width Modulation (PWM) Input

? Supports Triple-Hall or Single-Hall Element Differential Input

? Closed-/Open-Loop Speed Control

? Direction/Brake Input

? Power-Save Mode

? 5s/4.5s Lock Protection

? Over-Current Protection (OCP)

? Single-Pulse or Triple-Pulse FG Output per Electrical Cycle

? FG Signal: Rotational Speed Indication

? Soft Start (SS) for Low Noise and Current Overshoot

? Available in a QFN-26 (3mmx4mm) Package

二、BAW101Q升降壓芯片性能介紹

? 小訊號(hào)開(kāi)關(guān)二極管

? 開(kāi)關(guān)速度快，反向擊穿電壓高

? 一個(gè)緊湊的封裝中的兩個(gè)電氣隔離元件

? 低泄漏電流