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ZXMN6A08E6TA與TLV431BQFTA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

時間:2022-06-27 預(yù)覽:640

ZXMN6A08E6TA與TLV431BQFTA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

芯片廠商具備各自的競爭優(yōu)勢,有望加快帶動無人機(jī)市場的成本優(yōu)化與智能化。例如,高通傳統(tǒng)優(yōu)勢為無線通訊技術(shù)和低功耗計(jì)算;對比目前主要的無人機(jī)芯片解決方案,高通snapdragon flight 的CPU 尺寸最小、主頻最高。英特爾RealSense 實(shí)感技術(shù)快速推進(jìn),未來在環(huán)境感知、測量等領(lǐng)域存在精度優(yōu)勢。無人機(jī)芯片市場的激烈競爭有利于發(fā)揮各個廠商的技術(shù)優(yōu)勢,產(chǎn)生競爭的溢出效應(yīng),從而推動無人機(jī)產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)步。

一、ZXMN6A08E6TA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? V(BR)DSS   60V

? RDS(ON)  80m? @ VGS=10V   ID TA = +25°C   3.5A

? RDS(ON)  150m? @ VGS=4.5V  ID TA = +25°C   2.5A

二、TLV431BQFTA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? 1.24V COST EFFECTIVE SHUNT REGULATOR

? Low-Voltage Operation VREF = 1.24V

? Temperature Range -40 to +125°C

? Reference Voltage Tolerance at +25°C

? 0.5% TLV431B

? 4mV (0°C to +70°C) 6mV (-40°C to +85°C) 11mV (-40°C to +125°C

? 80μA Minimum Cathode Current

? 0.25? Typical Output Impedance

? Adjustable Output Voltage VREF to 18V