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在2015 IEEE ISSCC囯際固態(tài)電路會上intel已經(jīng)闡述它的10nm工藝制程。英特爾認(rèn)為10nm可能是硅尺寸縮小的終點，未來要進入7nm時需要采用III-V族，或納米線等。據(jù)英特爾數(shù)據(jù)，它的產(chǎn)品的平均壽命周期是15年，而制程節(jié)點的平均壽命約為12年，所以至此它的65納米制程技術(shù)仍在使用。

一、MP4423升降壓芯片的介紹

? 帶 PG 信號和外部時鐘同步的3A、36V高效同步降壓轉(zhuǎn)換器

? 4V 至 30V 連續(xù)寬輸入工作電壓范圍

? 適用于汽車拋負(fù)載的 36V 輸入瞬態(tài)耐壓

? 85m?/55m? 低 RDS(ON) 內(nèi)部功率 MOSFETs

? 高效同步工作模式

? 默認(rèn) 410kHz 開關(guān)頻率

? 200kHz 至 2.2MHz 外部時鐘同步

? 適用于汽車?yán)滠噯拥母哒伎毡?/p>

二、BZX84C10Q-7-F升降壓芯片的介紹

? 350mW表面安裝齊納二極管

? VF 0.9 V

? PD 300 Mw

? IZT  20mA

? IZK   1.0mA

? iR(μA) 0.2

? @VR 7.0V

? VZ @ IZT  10V