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BAW101Q-7、BZT52C3V9LP電源管理芯片基本應用及特點介紹

時間:2022-06-16 預覽:700

BAW101Q-7、BZT52C3V9LP電源管理芯片基本應用及特點介紹

2012年,三星與英特爾的差距約為5.3個百分點,2013年縮小到4.2個百分點,2015年進一步縮小到3.2個百分點。雖然,今年第一季度差距拉大到4個百分點以上,但第二季度再次縮小差距,恢復強勁追趕勢頭。

IHS在報告中強調,二季度之所以差距縮小,主要是因為三星NAND閃存產品銷售猛增,這些閃存被智能手機和筆記本廣泛采用。第二季度,三星NAND閃存銷售環(huán)比增加5.4%,而英特爾卻下降1.2%。

另外,美國高通占據全球市場的4.6%,博通(Broadcom)份額為4.3%,SK海力士排名第五位份額為4%。

一、BAW101Q-7電源管理芯片基本應用及特點介紹

特征:

* 快速開關速度

* 高反向擊穿電壓

* 單個緊湊封裝中的兩個電氣隔離元件

* 低泄漏電流

* 完全無鉛且完全符合RoHS(注1和2)

* 無鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)

* 符合AEC-Q101高可靠性標準

* PPAP能力(注4)

機械數據:

* 案例:143

* 外殼材料:模壓塑料,“綠色”模壓化合物。

* UL易燃性分類額定值94V-0

* 濕度敏感度:根據J-STD-020,為1級

* 端子:在合金42引線框架上退火的亞光錫表面(無鉛電鍍),可根據MIL-STD-202方法208焊接

* 重量:0.008克(近似值)

二、BZT52C3V9LP電源管理芯片基本應用及特點介紹

? 貼片齊納二極管

? VF  0.9V

? VZ@IZT 39

? ZZT@IZT   130?  -ZZK@IZK  350?

? IR  0.1  @ VR  27.3