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在前沿領(lǐng)域，我們正迎來電路線寬從10多納米到7~10納米的過渡期。 EUV光刻（極紫外光刻）技術(shù)，可以一次將微小的電路寫入鬼芯片，尚未開發(fā)。目前，微型電路是通過重復(fù)操作制成的，成膜設(shè)備和刻蝕設(shè)備也在不斷增加。

在服務(wù)器等使用的存儲設(shè)備方面，現(xiàn)在已經(jīng)采用了3D垂直堆疊的NAND存儲設(shè)備。與傳統(tǒng)的平面存儲設(shè)備相比，這種立體設(shè)備可以增加單位尺寸芯片的存儲容量。韓國三星電子、美國微軟、日本東芝都在增加生產(chǎn)設(shè)備。

預(yù)計從現(xiàn)在到2020年的五年期間，總投資將達(dá)到5萬億日元（約合人民幣3320億元），是過去五年的兩倍多。中國政府已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè)，同時也在積極推動外商投資。

這三大變化可能會拉大設(shè)備制造商之間的差距。半導(dǎo)體的小型化、三維化，對設(shè)備的技術(shù)要求提高了。有分析認(rèn)為，技術(shù)將成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商的決定性因素。

一、ZXTN25012EFHTA電源管理芯片基本應(yīng)用及特點介紹

概括：

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC（續(xù)）= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述：

先進(jìn)的工藝能力和包裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這個小外形的功率處理和性能晶體管。 該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其成為理想的適用于空間非常寶貴的應(yīng)用。

特征：

? 高功耗 SOT23 封裝

? 高峰值電流

? 非常高的增益

? 低飽和電壓

? 6V 反向阻斷電壓

應(yīng)用：

? MOSFET 柵極驅(qū)動器

? 電源開關(guān)

? 電機(jī)控制

? 直流風(fēng)扇

? DC-DC 轉(zhuǎn)換器

二、DUP2105SOQ電源管理芯片基本應(yīng)用及特點介紹

? 雙線CAN總線保護(hù)器

? VBR (Min)   26.2V  IPP (Max)  8A     IR (Max) 100nA