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調(diào)試時升降壓芯片溫度過高原因以及解決方法

時間:2021-10-09 預(yù)覽:778

調(diào)試時升降壓芯片溫度過高原因以及解決方法(圖1)

隨著電子技術(shù)的創(chuàng)新,電源行業(yè)的市場前景越來越廣闊,升降壓芯片行業(yè)也跟著不斷發(fā)展。調(diào)試電源時,需要用電壓表測量升降壓芯片引腳的電壓,還得通過示波器觀察電壓波形,來判斷電源運(yùn)行狀態(tài)是否處于最佳。那調(diào)試時出現(xiàn)升降壓芯片溫度過高的問題,我們應(yīng)該怎么解決呢?又是什么原因?qū)е滦酒瑴囟冗^高呢?

1、有可能是內(nèi)部MOSFET損耗過大,再加上變壓器電容過大,直接導(dǎo)致增大MOSFET電流與Vds交叉面積,最終導(dǎo)致升降壓芯片溫度過高。這時需要將變壓器繞組距離增大,減小電容。

2、芯片散熱不良導(dǎo)致溫度過高。芯片大部分熱量是通過引腳傳輸?shù)骄€路板的銅箔上,需要加大銅箔面積加強(qiáng)散熱。

3、升降壓芯片周圍空氣溫度過高引起的,應(yīng)該將芯片安置在空氣流通的位置,盡量遠(yuǎn)離溫度高的元器件。